حافظه اس اس دی 1 ترابایت سامسونگ SSD 990 Pro
SAMSUNG 990 PRO 1TB PCIe 4.0 NVMe M.2 SSD
نوع کاربری:اینترنال
فرم فکتور: 2280 M.2
ظرفیت حافظه:1 ترابایت
رابط اتصال: PCIe Gen4 x4 / Gen5 x2
نوع حافظه فلش:TLC
سرعت خواندن ترتیبی:7,450 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن ترتیبی :6,900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی: (4KB, QD1) -22KIops (4KB, QD32) – 1200KIops
سرعت نوشتن تصادفی: (4KB, QD1) -80KIops (4KB, QD32) – 1550KIops
طول عمر:600 TBW
سازگاری: PC
مقاومت برابر شوک: 1500G / 0.5ms
توان مصرفی: ایده آل 50 mw – خواندن:5/4w – نوشتن:7/8w – خواب 5mw
ابعاد : 80 × 22 × 2.3 میلیمتر
وزن: 9 گرم
| وزن | 9 گرم |
|---|---|
| ابعاد | 8 × 2/2 × 0/23 سانتیمتر |
| برند | سامسونگ |
| گارانتی | ایمان تِک – آواژنگ – حامی |
55,000,000 تومان
حافظه اس اس دی 1ترابایت سامسونگ SSD 990 Pro
عضویت در ADOBE: با خرید و ثبت یک SSD* واجد شرایط 4 ترابایت سامسونگ، یک عضویت دو ماهه در طرح Adobe Creative Cloud Photography دریافت کنید.
کاربردهای خاص: بازی. دمای عملیاتی: 0 – 70 ℃. ولتاژ مجاز: 3.3 ± ولت 5 درصد ولتاژ مجاز
افزایش سرعت عظیم: سرعت خواندن/نوشتن تصادفی را دریافت کنید که سریعتر از 980 PRO است. تا 1200K/1550K IOPS را تجربه کنید، در حالی که سرعت خواندن/نوشتن متوالی تا 7450/6900 مگابایت بر ثانیه نزدیک به حداکثر عملکرد PCIe 4.0 است.
بهره وری انرژی: مصرف انرژی کمتر و عملکرد بیشتر. با حداکثر عملکرد PCIe 4.0 تا 50٪ عملکرد بهبود یافته در هر وات بیش از 980 PRO، به علاوه بهره وری بهینه انرژی با حداکثر عملکرد PCIe 4.0 لذت ببرید
کنترل حرارتی هوشمند: کنترلر با پوشش نیکل خود سامسونگ، کنترل حرارتی موثری را ارائه می دهد. 990 PRO با اندازه باریک خود برای دسکتاپ ها و لپ تاپ هایی که استاندارد PCI-SIG D8 را رعایت می کنند مناسب است
THE CHAMPION MAKER: تا 65% بهبود در عملکرد تصادفی بارگذاری سریعتر را برای تجربه بازی نهایی در بازیهای PS5 و Direct Storage PC امکانپذیر میکند.
نرم افزار جادوگر سامسونگ: با ابزارهای بهینه سازی پیشرفته و در عین حال بصری سامسونگ Magician بیشترین بهره را از SSD خود ببرید. بر سلامت درایو نظارت کنید، از داده های ارزشمند محافظت کنید و به روز رسانی های مهم را برای 990 PRO خود دریافت کنید.
| نوع حافظه | اینترنال |
| ابعاد | 80 در 22 در 2.3 میلی متر |
| حافظه فلش | V-NAND |
| وزن | 9 گرم |
| رابط | PCIe Gen 4 x4, NVMe 2.0 |
| حداکثر سرعت خواندن ترتیبی | 7450 MB/s |
| حداکثر سرعت نوشتن ترتیبی | 6900 MB/s |
| مقاومت در برابر شوک | دارد |
| میزان مقاومت در برابر شوک | 1500G |
| ظرفیت | 1 ترابایت |
| نوع رابط | PCIe Gen 4.0 x4 |
| کنترل کننده | Samsung Elpis Controller |
| مقاومت در برابر لرزش | دارد |
| مقاومت در برابر شوک | دارد |
| میزان مقاومت شوک | 1,500G & 0.5 ms (Half sine) |
| میانگین عمر - MTBF | 600 TBW |
| دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
