حافظه اس اس دی 4 ترابایت سامسونگ 9100 PRO HEATSINK

SAMSUNG 9100 PRO HEATSINC 4TB PCIe 4.0 NVMe M.2 SSD

نوع کاربری:اینترنال
فرم فکتور: 2280 M.2
ظرفیت حافظه:4 ترابایت
رابط اتصال: PCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0
نوع حافظه فلش:TLC
سرعت خواندن ترتیبی:14800 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن ترتیبی :13400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی: 2200KIops
سرعت نوشتن تصادفی: 2600KIops
طول عمر:2400 TBW
سازگاری: PC / PLAYSTATION5 / RENDER
مقاومت برابر شوک: 1500G / 0.5ms
توان مصرفی: ایده آل 6/5 mw – خواندن:9w – نوشتن:8/2w – خواب 5/7mw
ابعاد : 80/15 × 25 × 8.88 میلیمتر
وزن: 30 گرم

وزن30 گرم
ابعاد8/015 × 2/5 × 0/9 سانتیمتر
برندسامسونگ
گارانتیایمان تِک – آواژنگ – حامی

204,000,000 تومان

توضیحات

حافظه اس اس دی 4 ترابایت سامسونگ 9100 PRO HEATSINK

 

درباره سامسونگ
سامسونگ متعهد به پیروی از قوانین و مقررات محلی و همچنین اعمال قوانین رفتاری جهانی سختگیرانه برای همه کارمندان است. این سازمان معتقد است که مدیریت اخلاقی نه تنها ابزاری برای پاسخگویی به تغییرات سریع در محیط کسب و کار جهانی است، بلکه ابزاری برای اعتمادسازی با سهامداران مختلف خود از جمله مشتریان، سهامداران، کارمندان، شرکای تجاری و جوامع محلی است. با هدف تبدیل شدن به یکی از با اخلاق ترین شرکت های جهان، سامسونگ همچنان به آموزش کارکنان خود و اجرای سیستم های نظارتی ادامه می دهد و در عین حال مدیریت شرکتی عادلانه و شفاف را انجام می دهد. ما بهره وری انرژی و چرخه منابع را برای محصولات خود در کل چرخه عمر آنها در نظر می گیریم. این شامل اجرای اقدامات مختلف در طول مراحل منبع یابی، تولید، توزیع، استفاده و بازیافت برای کاهش تاثیر ما بر محیط زیست است. ما از استراتژی جدید زیست محیطی خود پرده برداری کرده ایم، یک ابتکار جامع که با تلاش های جهانی برای مقابله با تغییرات آب و هوا و کمبود منابع هماهنگ است. این استراتژی شامل چندین تعهد از جمله دستیابی به انتشار خالص کربن صفر از طریق افزایش استفاده از منابع انرژی تجدیدپذیر است. علاوه بر این، ما در تلاش هستیم تا گردش منابع را در محصولات خود افزایش دهیم، در حالی که بر افزایش استفاده مجدد از آب و پیشرفت فناوری جذب کربن تمرکز می کنیم.
مشخصات
نوع حافظهاینترنال با هیت سینک
ابعاد80 در 25 در 9 میلی متر
حافظه فلشV-NAND
وزن30 گرم
رابطPCIe 5.0 NVMe
حداکثر سرعت خواندن ترتیبی14800 MB/s
حداکثر سرعت نوشتن ترتیبی13400 MB/s
مقاومت در برابر شوکدارد
میزان مقاومت در برابر شوک1500G
ظرفیت4 ترابایت
نوع رابطPCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0
کنترل کنندهSamsung Elpis Controller
مقاومت در برابر لرزشدارد
مقاومت در برابر شوکدارد
میزان مقاومت شوک1,500G & 0.5 ms (Half sine)
میانگین عمر - MTBF2400 TBW
دمای عملیاتی0 تا 70 درجه سانتیگراد