حافظه اس اس دی 8 ترابایت سامسونگ 9100 PRO

SAMSUNG 9100 PRO 8TB PCIe 4.0 NVMe M.2 SSD

نوع کاربری:اینترنال
فرم فکتور: 2280 M.2
ظرفیت حافظه:8 ترابایت
رابط اتصال: PCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0
نوع حافظه فلش:TLC
سرعت خواندن ترتیبی:14800 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن ترتیبی :13400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی: 2200KIops
سرعت نوشتن تصادفی: 2600KIops
طول عمر:4800 TBW
سازگاری: PC
مقاومت برابر شوک: 1500G / 0.5ms
توان مصرفی: ایده آل 50 mw – خواندن:10/5w – نوشتن:8/8w – خواب 9/3mw
ابعاد : 80/15 × 22/15 × 3.88 میلیمتر
وزن: 9/5 گرم

وزن9 گرم
ابعاد8 × 2/2 × 0/23 سانتیمتر
برندسامسونگ
گارانتیایمان تِک – آواژنگ – حامی

توضیحات

حافظه اس اس دی 8 ترابایت سامسونگ 9100 PRO

درباره سامسونگ
سامسونگ متعهد به پیروی از قوانین و مقررات محلی و همچنین اعمال قوانین رفتاری جهانی سختگیرانه برای همه کارمندان است. این سازمان معتقد است که مدیریت اخلاقی نه تنها ابزاری برای پاسخگویی به تغییرات سریع در محیط کسب و کار جهانی است، بلکه ابزاری برای اعتمادسازی با سهامداران مختلف خود از جمله مشتریان، سهامداران، کارمندان، شرکای تجاری و جوامع محلی است. با هدف تبدیل شدن به یکی از با اخلاق ترین شرکت های جهان، سامسونگ همچنان به آموزش کارکنان خود و اجرای سیستم های نظارتی ادامه می دهد و در عین حال مدیریت شرکتی عادلانه و شفاف را انجام می دهد. ما بهره وری انرژی و چرخه منابع را برای محصولات خود در کل چرخه عمر آنها در نظر می گیریم. این شامل اجرای اقدامات مختلف در طول مراحل منبع یابی، تولید، توزیع، استفاده و بازیافت برای کاهش تاثیر ما بر محیط زیست است. ما از استراتژی جدید زیست محیطی خود پرده برداری کرده ایم، یک ابتکار جامع که با تلاش های جهانی برای مقابله با تغییرات آب و هوا و کمبود منابع هماهنگ است. این استراتژی شامل چندین تعهد از جمله دستیابی به انتشار خالص کربن صفر از طریق افزایش استفاده از منابع انرژی تجدیدپذیر است. علاوه بر این، ما در تلاش هستیم تا گردش منابع را در محصولات خود افزایش دهیم، در حالی که بر افزایش استفاده مجدد از آب و پیشرفت فناوری جذب کربن تمرکز می کنیم.
مشخصات
نوع حافظه اینترنال
ابعاد 80 در 22 در 2.3 میلی متر
حافظه فلش V-NAND
وزن 9 گرم
رابط PCIe 5.0 NVMe
حداکثر سرعت خواندن ترتیبی 14800 MB/s
حداکثر سرعت نوشتن ترتیبی 13400 MB/s
مقاومت در برابر شوک دارد
میزان مقاومت در برابر شوک 1500G
ظرفیت 8 ترابایت
نوع رابط PCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0
کنترل کننده Samsung Elpis Controller
مقاومت در برابر لرزش دارد
مقاومت در برابر شوک دارد
میزان مقاومت شوک 1,500G & 0.5 ms (Half sine)
میانگین عمر - MTBF 4800 TBW
دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد